삼성전자, 업계 최초 36GB HBM3E 12H D램 개발

7마이크로미터 칩간 간격·수직 집적도 개선
다양한 사이즈 범프 적용 통한 열특성 강화 효과
고객사 샘플 제공 시작, 상반기 양산 예정

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